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IRFB4229	文件：338.6 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.6 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB4229	文件：300 bytes Page：1 Pages	250V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB4229PBF	文件：229.11 Kbytes Page：8 Pages	PDP SWITCH Features ● Advanced Process Technology ● Key Parameters Optimized for PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications ● Low EPULSE Rating to Reduce Power Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery and Pass Switch Applications ● Low QG for Fast Response ● High Repetitive Peak Curren 文件：229.11 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4229PBF	文件：298.01 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB4229PBF_15	文件：298.01 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology 文件：298.01 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRFB4229PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
250 V
RDS (on) @10V max：
46 mΩ
ID @25°C max：
46 A
QG typ @10V：
72 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
IR MOSFET™

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