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IRFB3607	文件：306 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：306 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3607	文件：300 bytes Page：1 Pages	75V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • Hi 文件：425.92 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3607GPBF	文件：293.98 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：293.98 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3607PBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：327.29 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFB3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETs 文件：1.5573 Mbytes 页数：7 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
IRFB3607GPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	\u0001\u0002High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFB3607PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
75 V
RDS (on) @10V max：
9 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
56 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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