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IRFB3407Z	文件：339.24 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3407ZPBF	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	Hard Switched and High Frequency Circuits 文件：249.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3407ZPBF	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	Battery Management 文件：249.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3407ZPBF_15	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	Battery Management 文件：249.57 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3407Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220AB 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 行业标准通孔功率封装\n• 高电流承载能力封装;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Ptotmax：
230 W
Qgd：
24 nC
QG(typ @10V)：
79 nC
RDS (on)(@10V) max：
6.4 mΩ
RthJCmax：
0.65 K/W
Tjmax：
175 °C
VDSmax：
75 V
VGS(th)：
3 V
VGSmax：
20 V
Mounting：
THT
Package：
TO-220
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Polarity：
N
Budgetary Price €/1k：
0.98

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRFB3407Z供应商更新时间2026-1-22 9:04:00

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