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IRFB3006	文件：339.17 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.17 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFB3006	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-220AB 封装的 60V 单 N 通道 IR MOSFET ™ \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Industry standard through-hole power package\n• High-current carrying capability package (upto 195A, die-size ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRFB3006PBF	文件：302.27 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPower MOSFET Applications • High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS • Uninterruptible Power Supply • High Speed Power Switching • Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Ava 文件：302.27 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3006GPBF	文件：294.05 Kbytes Page：8 Pages	High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS 文件：294.05 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFB3006PBF	文件：251.51 Kbytes Page：9 Pages	Hard Switched and High Frequency Circuits 文件：251.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFB3006PBF_15	文件：251.51 Kbytes Page：9 Pages	Hard Switched and High Frequency Circuits 文件：251.51 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFB3006G	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用无铅和无卤素TO-220AB 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFB3006PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
2.5 mΩ
ID @25°C max：
270 A
QG typ @10V：
200 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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