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IRFI9Z34N	文件：122.02 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET(-55V,0.1ohm,-14A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI9Z34NPBF	文件：274.26 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
KSM9Z34	文件：661.53 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SFI9Z34	文件：288.18 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐175oCOperatingTemperature ❐LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V ❐LowRDS(ON):0.106Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFI9Z34	文件：275.47 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9Z34	文件：281.45 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFP9Z34	文件：956.52 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SFP9Z34	文件：236.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●175oCOperetingTemperature ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10µA(Max.)@VDS=-60V ●LowRDS(ON):0.106Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9Z34	文件：284.26 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES νAvalancheRuggedTechnology νRuggedGateOxideTechnology νLowerInputCapacitance νImprovedGateCharge ν175°COperatingTemperature νExtendedSafeOperatingArea νLowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-60V νLowRDS(ON):0.106Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF9Z34NLPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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