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RT9953GQW

PowerTransistor(80V,1A)

●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SI9953DY

DualP-Channel20-V(D-S)MOSFET

DualP-Channel20-V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIC9953

Non-IsolatedBuckSectionsSwitchDimmingLEDDriver

SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司

SIC9953B

Non-IsolatedBuckSectionsSwitchDimmingLEDDriver

SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司

Z9953

3.3V,180MHz,Multi-OutputZeroDelayBuffer

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

Z9953AA

3.3V,180MHz,Multi-OutputZeroDelayBuffer

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

详细参数

  • 型号:

    IRF9953PBF

  • 功能描述:

    MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IRF9953PBF供应商 更新时间2025-7-28 20:12:00