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IRF9953PBF	文件：206.63 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9953PBF_15	文件：212.12 Kbytes Page：7 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
L9953	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L9953	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
IRF9953PBF
功能描述：
MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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