丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor (80V, 1A)

● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

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ROHM

罗姆

丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor (80V, 1A)

● Features 1) High VCEO, VCEO = 80V 2) High IC, IC = 1A (DC) 3) Good hFE linearity. 4) Low VCE(sat). 5) Complements the 2SB1260 / 2SB1241 / 2SB1181.

文件：89.47 Kbytes 页数：4 Pages

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罗姆

丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor

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丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor (80V, 1A)

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丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor (80V, 1A)

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丝印：DF=**；Package：WQFN-244x4；Power Transistor (80V, 1A)

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Power Transistor (80V, 1A)

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Package：24-WFQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：IC 4CH POWER MANAGEMENT

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