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L9953XPTR	文件：541.52 Kbytes Page：38 Pages	Dooractuatordriver	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
NDS9953A	文件：342.68 Kbytes Page：10 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9953A-NL	文件：1.05507 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PE9953	文件：118.61 Kbytes Page：1 Pages	BREAKOUT,CRIMPONFORRG58,STANDARDSTACKINGBANANAPLUGS	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
RT9953	文件：485.83 Kbytes Page：19 Pages	41CHPowerManagementIC	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9953GQW	文件：163.94 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RT9953GQW	文件：89.47 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A) ●Features 1)HighVCEO,VCEO=80V 2)HighIC,IC=1A(DC) 3)GoodhFElinearity. 4)LowVCE(sat). 5)Complementsthe2SB1260/2SB1241/2SB1181.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RT9953GQW	文件：120.9 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RT9953GQW	文件：96.42 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RT9953GQW	文件：177.89 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
IRF9953PBF
功能描述：
MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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