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IRF9952QPBF_10

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HEXFETPOWERMOSFET

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IRF

IRF9952QPBF

文件：300 bytes

Page：1 Pages

HEXFETPOWERMOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRF9952TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    SO8

  • VDS max：

    30 V

  • RDS (on) @10V max：

    100 mΩ/250 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max：

    150 mΩ/400 mΩ

  • ID @25°C max：

    3.5 A/-2.3 A

  • QG typ @10V：

    6.1 nC/6.9 nC

  • Polarity：

    N+P

  • VGS(th) min：

    -1 V/1 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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更多IRF9952供应商 更新时间2025-10-7 17:06:00

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