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SFI9640	文件：263.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-200V RDS(on)=0.5W ID=-11A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ●LowRDS(ON):0.344W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFP9640	文件：257.269 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-200V RDS(on)=0.5W ID=-11A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:-10mA(Max.)@VDS=-200V ●LowRDS(ON):0.344W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFP9640L	文件：224.23 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-200V RDS(on)=0.5Ω ID=-11A FEATURES ❑AvalancheRuggedTechnology ❑RuggedGateOxideTechnology ❑LowerInputCapacitances ❑ImprovedGateCharge ❑ExtendedSafeOperatingArea ❑LowerLeakageCurrent:-10uA(Max.)@VDS=-200V ❑LowerRDS(ON):0.383Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFS9640	文件：263.21 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ■LowRDS(ON):0.344Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFW9640	文件：263.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=-200V RDS(on)=0.5W ID=-11A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=-200V ●LowRDS(ON):0.344W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFWI9640	文件：261.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHF9640	文件：1.92898 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9640	文件：272.54 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHF9640L	文件：197.87 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF9640STRR
功能描述：
MOSFET P-Chan 200V 11 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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