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IRF9389	文件：466.53 Kbytes Page：13 Pages	丝印：IRF9389；Package：SOP-8；NP-Channel MOSFET Applications «High and Low Side Switches for Inverter «High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features N-Channel © Ve (V) = 30V ® I= 6.8A (Vos = 10V) ® Rosen 文件：466.53 Kbytes 页数：13 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9389	文件：909.75 Kbytes Page：13 Pages	丝印：IRF9389；Package：SOP-8；NP-Channel MOSFET Features N-Channel VDS (V) = 30V ID = 6.8A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：909.75 Kbytes 页数：13 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF9389TR	文件：466.53 Kbytes Page：13 Pages	丝印：IRF9389；Package：SOP-8；NP-Channel MOSFET Applications «High and Low Side Switches for Inverter «High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features N-Channel © Ve (V) = 30V ® I= 6.8A (Vos = 10V) ® Rosen 文件：466.53 Kbytes 页数：13 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF9389	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 双 N 通道和 P 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 SO-8 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Optimized for 4.5V gate-drive voltage(called Logic level), capable of being driven at 2.5V gate-drive voltage (called Super Logic level)\n• Reduced design complexity in high-side configuration (vs N-channel device)\n• Easier ;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9389TRPBF	文件：787.23 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON) 文件：787.23 Kbytes 页数：8 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRF9389PBF	文件：249.93 Kbytes Page：14 Pages	High and low-side MOSFETs in a single package 文件：249.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRF9389PBF	文件：249.93 Kbytes Page：14 Pages	High and low-side MOSFETs in a single package 文件：249.93 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF9389PBF	文件：249.93 Kbytes Page：14 Pages	High and Low Side Switches for Inverter 文件：249.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRF9389PBF_15	文件：249.93 Kbytes Page：14 Pages	High and low-side MOSFETs in a single package 文件：249.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRF9389TRPBF	文件：249.93 Kbytes Page：14 Pages	High and Low Side Switches for Inverter 文件：249.93 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF9389TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
27 mΩ/64 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
40 mΩ/103 mΩ
ID @25°C max：
6.8 A/-4.6 A
QG typ @10V：
6.8 nC/8.1 nC
Polarity：
N+P
VGS(th) min：
-1.3 V/1.3 V
VGS(th) max：
-2.3 V/2.3 V
VGS(th)：
-1.8 V/1.8 V
Technology：
IR MOSFET™

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