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IRFF9230	文件：135.28 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE(TO-205AF) 200V,P-CHANNEL TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.TheHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFF9230	文件：328.01 Kbytes Page：7 Pages	-4.0A,-200V,0.800Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP9230	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFY9230	文件：52.01 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETFORHI-RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRH9230	文件：64.94 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRH9230	文件：154.76 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORP-CHANNEL(BVdss=-200V,Rds(on)=0.8ohm,Id=-6.5A) 200Volt,0.8Ω,RADHARDHEXFET InternationalRectifier’sP-ChannelRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiationdosesashighas105Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-radiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：109.31 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETSURFACEMOUNT(LCC-18)	IRF International Rectifier	IRF
IRHE9230	文件：128.77 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：135.58 Kbytes Page：8 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRHF9230	文件：141.58 Kbytes Page：8 Pages	RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFET RADIATIONHARDENEDPOWERMOSFETTHRU-HOLE(TO-39) 200V,P-CHANNEL InternationalRectifier’sRAD-HardHEXFETTMtechnologyprovideshighperformancepowerMOSFETsforspaceapplications.Thistechnologyhasoveradecadeofprovenperformanceandreliabilityinsatelliteapplications.These	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF9230
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET P-CH 200V 6.5A 3PIN TO-204AA - Bulk
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, TO-3, LAW - Bulk
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
HEXFET, HI-REL - Bulk
功能描述：
P CH MOSFET -200V 6.5A TO-2
功能描述：
MOSFET P TO-3
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA
功能描述：
Single P-Channel 200 V 75 W 31 nC Hexfet Transistor Through Hole- TO-204AA
功能描述：
P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
-6.5A; Drain Source Voltage
Vds：
-200V; On Resistance
Rds(on)：
800mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
-4V ;RoHS
Compliant：
No
制造商：
TT Electronics/Semelab
功能描述：
MOSFET P-Channel 200V 6.5A TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF9230供应商更新时间2025-7-25 14:02:00

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