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IRFW840A	文件：227.93 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):0.638Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW840B	文件：695.11 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
JCS840	文件：860.15 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFET ID8A VDSS500V Rdson（@Vgs=10V）0.8Ω Qg59nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical35pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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IRFW840A

文件：227.93 Kbytes

Page：7 Pages

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=500V ♦LowerRDS(ON):0.638Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

IRFW840B

文件：695.11 Kbytes

Page：9 Pages

500VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

JCS840

文件：860.15 Kbytes

Page：12 Pages

N-CHANNELMOSFET

N-CHANNELMOSFET ID8A VDSS500V Rdson（@Vgs=10V）0.8Ω Qg59nC FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical35pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JSMC

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详细参数

型号：
IRF840LCSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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