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IRFI840GLC	文件：225.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=4.5A) DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargePowerHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalHEXFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GLC	文件：1.66555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedPowerMOSFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.The	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFI840GLCPBF	文件：1.033819 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesofLowChargeHEXFETsachievesignificantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingadvancedHEXFETtechnology,thedeviceimprovementsallowforreducedgatedriverequirements,fasterswitchingspeedsandincreasedtotalsystemsavings.Thesedeviceim	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GLCPBF	文件：958.66 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI840GPBF	文件：1.30688 Mbytes Page：7 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRFI840GPBF	文件：2.81499 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s,f=60Hz) •Sink	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI840GPBF	文件：2.39062 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFI840GPBF	文件：1.54981 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF840LCSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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