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IRF840LCL	文件：156.42 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF840LCL	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Extremelyhighfrequencyoperation •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRF840LCPBF	文件：993.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCPBF	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCS	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET®powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF840FI
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220VAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF840FI	ST/意法	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF840FI	ST/意法	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRF840FI	ST	21+	TO-220F	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF840FI	IR	22+	TO-220F	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IRF840FI	ST/意法	24+	NA/	30	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRF840FI	IR	23+	TO-220F	7000		询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IRF840FI	IR	22+	TO-220F	87373		询价
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更多IRF840FI供应商更新时间2025-7-29 13:01:00

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