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IRF8327S

采用 DirectFET ™ SQ 封装的 30V 单 N 通道功率 MOSFET

\n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)\n• Dual-side cooling capability\n• Low package height of 0.7mm\n• Low parasitic (1-2 nH) inductance package\n• 100&;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    75000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    500V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    4A

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

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更多IRF832供应商 更新时间2025-10-3 16:05:00