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厂商型号

IRF8313

功能描述

30V 2N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

IRF8313

封装外壳

SOP-8

文件大小

2.16288 Mbytes

页面数量

6

生产厂商

EVVOSEMI

中文名称

翊欧

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 23:01:00

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IRF8313规格书详情

General Description

The is the highest performance trench

N-ch MOSFETs with extreme high cell density,

which provide excellent RDSON and gate charge

for most of the small power switching and

load switch applications. The meet the RoHS and

Product requirement with full function reliability approved.

General Features

RDS(ON)< 13mΩ @ VGS=10V

RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=4.5V

VDS = 30V ID = 9A

产品属性

  • 型号:

    IRF8313

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
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IR
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