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厂商型号

IRF830F

功能描述

4.4A, 500V, 1.5廓 N-CHANNEL POWER MOSFET

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384.32 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

FS

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更新时间

2025-10-9 17:41:00

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IRF830F规格书详情

DESCRIPTION

➤ IRF830 is 500V High voltage N-Channel enhancement

mode power MOS-FET chip fabricated in advanced

silicon epitaxial planar technology;

➤ Advanced termination scheme to provide enhanced voltageblocking capability;

➤ Avalanche Energy Specified;

➤ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a

Discrete Fast Recovery Diode;

➤ IRF830 product is widely used in AC-DC power

suppliers, DC-DC converters and H-bridge PWM motor

drivers.

FEATURES

* 4.4A, 500V, RDS(ON)=1.5Ω

* Rugged - SOA is Power Dissipation Limited

* Fast Switching Speeds

* Single Pulse Avalanche EnergyRated

* Linear Transfer Characteristics

* High Input Impedance

产品属性

  • 型号:

    IRF830F

  • 制造商:

    SUNTAC

  • 制造商全称:

    SUNTAC

  • 功能描述:

    POWER MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
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