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IRF830B中文资料威世科技数据手册PDF规格书

IRF830B
厂商型号

IRF830B

功能描述

Reduced capacitive switching losses

文件大小

296.71 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 23:01:00

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IRF830B规格书详情

FEATURES

• Optimal design

- Low area specific on-resistance

- Low input capacitance (Ciss)

- Reduced capacitive switching losses

- High body diode ruggedness

- Avalanche energy rated (UIS)

• Optimal efficiency and operation

- Low cost

- Simple gate drive circuitry

- Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

- Fast switching

• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Consumer electronics

- Displays (LCD or plasma TV)

• Server and telecom power supplies

- SMPS

• Industrial

- Welding

- Induction heating

- Motor drives

• Battery chargers

产品属性

  • 型号:

    IRF830B

  • 功能描述:

    MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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