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IRF830S中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书

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厂商型号

IRF830S

功能描述

Power MOSFET

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

数据手册

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更新时间

2025-10-17 8:14:00

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IRF830S规格书详情

特性 Features

Surface mount
Available in tape and reel
Dynamic dV/dt rating

技术参数

  • 型号:

    IRF830S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY(威世)
24+
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24+
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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