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IRF8302M数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF8302M

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二极管, 采用 DirectFET MX封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为31 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-23 20:00:00

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IRF8302M规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却
• 低通态损耗
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
• 集成单片肖特基二极管

应用 Application

• 电池保护
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边
• 负载开关低边
• 载荷点 SyncFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF8302M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF8302MTRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET MX (MG-WDSON-5)

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :1.8 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :2.7 mΩ

  • ID @25°C max

    :190 A

  • QG typ @4.5V

    :35 nC

  • Special Features

    :Schottky (includes Schottky like and FETky)

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :1.35 V

  • VGS(th) max

    :2.35 V

  • VGS(th)

    :1.8 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

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