IRF8306M数据手册Infineon中文资料规格书
IRF8306M规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 低通态损耗
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
• 集成单片肖特基二极管
应用 Application
• 电池保护
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边
• 负载开关低边
技术参数
- 制造商编号
：IRF8306M
- 生产厂家
：Infineon
- VDS max
：30.0V
- RDS (on) max
：2.5mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：2.5mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：3.6mΩ
- Polarity
：N with Schottky
- ID (@ TA=70°C) max
：18.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：23.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：140.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.1W
- Ptot max
：75.0W
- QG
：25.0nC
- Mounting
：SMD
- Qgd
：6.7nC
- RthJC max
：1.66K/W
- Tj max
：150.0°C
- Moisture Sensitivity Level
：1
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
15140 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
12+ |
QFN |
14000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
HAMOS/汉姆 |
23+ |
MG-WDSON-5 |
30000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
2402+ |
DIRECTFET |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | ||
IR |
23+ |
DIRECTF |
7000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
DIRECTF |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
DirectFET? 等容 MX |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MX |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIRECTF |
60000 |
询价 |
