IRF820AL中文资料Power MOSFET数据手册Vishay规格书
IRF820AL规格书详情
特性 Features
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
技术参数
- 型号：
IRF820AL
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY/威世通 |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
24+ |
NA |
350 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
IR |
07+08+ |
TO-262 |
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SILICONIXVISHAY |
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NA |
9850 |
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IR |
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30000 |
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SILICONIXVISHAY |
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IR |
23+ |
TO-262 |
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IR |
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TO-262 |
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SILICONIXVISHAY |
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NA |
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询价 |
