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IRF7Y1405CM	文件：100.47 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) 文件：100.47 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7Y1405CM	文件：100.47 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Energy Ratings 文件：100.47 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7Y1405CM_15	文件：100.47 Kbytes Page：7 Pages	Avalanche Energy Ratings 文件：100.47 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7Y1405CM	文件：300 bytes Page：1 Pages	高可靠性功率 MOSFET IRF7Y1405CM 是一款采用 TO-257AA 封装的高可靠性、55V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。 • Low RDS(on)\n• Dynamic dv/dt Rating\n• Ease of Paralleling\n• Light Weight;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

ID (@25°C) max：
18 A
RDS (on)(@25°C) max：
15.3 mΩ
VBRDSSmin：
55 V
Product Category：
High Reliability MOSFETs
Package：
TO-257AA
Polarity：
N
Voltage Class：
100 V
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	IRF7Y1405CM	IR	2447	20	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市一线半导体有限公司	IRF800	SEC	24+	TO220-3P	250		询价
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更多IRF7Y1405CM供应商更新时间2026-1-31 15:01:00

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