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MDP7N60TH	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGP7N60E	文件：118.14 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGP7N60ED	文件：144.18 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithrAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packaged withasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringboth	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MS7N60	文件：396.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF7N60	文件：774.32 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTN7N60BFP	文件：462.28 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN7N60FP	文件：344.8 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTP7N60	文件：118.38 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NJ7N60	文件：931.87 Kbytes Page：7 Pages	7.4A600VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
IRF7N60
制造商：
SUNTAC
制造商全称：
SUNTAC
功能描述：
POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市恒创达实业有限公司	IRF7N60	Suntac	17+	TO-220F	6200		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF7N60	SUNTAC	2020+	TO220F	68	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRF7N60	SUNTAC	24+	TO220F	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRF7N60	VB	21+	TO-	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF7N60	S	22+	TO-	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRF7N60	SUNTAC	23+	TO-220F	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IRF7N60	S	23+	TO-	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市晨豪科技有限公司	IRF7N60	SUNTAC	23+	TO-220F	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRF7N60	S	22+	TO-	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	IRF7N60	SUNTAC	24+	TO220F	19000	只做正品原装现货	询价

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