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IRF7811AVTRPBF	文件：116.7 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Application-Specific MOSFETs 文件：116.7 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7811AV	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 纤薄外形（小于1.1毫米）\n• SOT-23 封装;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7811AVPBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
14.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
13.0A
ID (@ TA=25°C) max：
14.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
3.5W
QG ：
17.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Tj max：
150.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
5.1nC
VGS max：
20.0V

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