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IRF7799L2中文资料采用 DirectFET L8 封装的 250V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 35 安培数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7799L2

功能描述

采用 DirectFET L8 封装的 250V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 35 安培

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-13 14:07:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7799L2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID (@ TC=25°C) max

    :35 A

  • ID max

    :25 A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :6.6 A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :4.3 W

  • Ptotmax

    :125 W

  • Qgd

    :39 nC

  • QG

    :110 nC

  • RDS (on)max

    :38 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :38 mΩ

  • RthJCmax

    :1.2 K/W

  • Tjmax

    :175 °C

  • VDSmax

    :250 V

  • VGSmax

    :30 V

  • Mounting

    :SMD

  • Package

    :DirectFET L8

  • Micro-stencil

    :IRF66L8-25

  • Polarity

    :N

  • Moisture Sensitivity Level

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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