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IRF7749L1中文资料采用 DirectFET L8 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 33 安培,具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF7749L1

功能描述

采用 DirectFET L8 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 33 安培,具有低导通电阻。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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IRF7749L1规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 工业标准合格
• MSL1 合格
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却
• 针对同步整流进行优化
• 低通态损耗
• 高 Cdv/dt 抗干扰能力

应用 Application

• 交流-直流
• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF7749L1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF7749L1TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET L8 (MG-WDSON-11)

  • VDS max

    :60 V

  • RDS (on) @10V max

    :1.5 mΩ

  • ID @25°C max

    :200 A

  • QG typ @10V

    :200 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :2.9 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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