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IRF7495TR	文件：607.94 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：607.94 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7495TRPBF	文件：866.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 8 A RDS(ON) 文件：866.69 Kbytes 页数：5 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
IRF7495TRPBF	文件：228.82 Kbytes Page：8 Pages	Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters ● Lead-Free 文件：228.82 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SI7495DP	文件：69.05 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 12-V (D-S) MOSFET 文件：69.05 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SN7495A	文件：281.04 Kbytes Page：8 Pages	4-BIT PARALLEL-ACCESS SHIFT REGISTERS 文件：281.04 Kbytes 页数：8 Pages	TI 德州仪器	TI
SN7495A	文件：525.26 Kbytes Page：14 Pages	4-BIT PARALLEL-ACCESS SHIFT REGISTERS 文件：525.26 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
IRF7495TR
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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