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IRF7465TRPBF	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	high frequency DC-DC converters SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7466	文件：233.12 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) VDSS30V RDS(on)max(mΩ) 12.5@VGS=10V ID=11A Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse ●HighFrequ	IRF International Rectifier	IRF
IRF7466PBF	文件：131.55 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET VDSS30V RDS(on)max(mΩ) 12.5@VGS=10V ID=11A Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ●Lead-Free Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse	IRF International Rectifier	IRF
IRF7467	文件：114.49 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A) SMPSMOSFET Benefits •Ultra-LowGateImpedance •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse •HighFrequencyBuckConvertersforCompu	IRF International Rectifier	IRF
IRF7467PBF	文件：125.57 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7467TRPBF	文件：1.05294 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7468	文件：232.78 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A) SMPSMOSFET Benefits •Ultra-LowGateImpedance •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse •HighFrequencyBuckConvertersforCompu	IRF International Rectifier	IRF
IRF7468PBF	文件：126.55 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits •Ultra-LowGateImpedance •VeryLowRDS(on)at4.5VVGS •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse •HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7468TRPBF	文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC APPLICATIONS •SynchronousRectification •POL,IBC -SecondarySide	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7469	文件：114.76 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A) SMPSMOSFET Benefits •Ultra-LowGateImpedance •VeryLowRDS(on) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse •HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcesso	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF746
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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