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IRF7460	文件：220.64 Kbytes Page：21 Pages	8-PIN SYNCHRONOUS PWM CONTROLLER DESCRIPTION TheIRU3037controllerICisdesignedtoprovidealowcostsynchronousBuckregulatorforon-boardDCtoDCconverterapplications.Withthemigrationoftoday’sASICproductsrequiringlowsupplyvoltagessuchas1.8Vandlower,togetherwithcurrentsinexcessof3A,traditionalli	IRF International Rectifier	IRF
IRF7460	文件：121.25 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Id=12A) Benefits •Ultra-LowGateImpedance •VeryLowRDS(on) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyIsolatedDC-DCConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialUse •HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessorPower	IRF International Rectifier	IRF
IRF7460PBF	文件：180.44 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConvertersfor Compu	IRF International Rectifier	IRF
IRF7463	文件：84.73 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A) SMPSMOSFET Benefits •Ultra-LowRDS(on)at4.5VVGS •LowChargeandLowGateImpedancetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications •HighFrequencyDC-DCConverterswithSynchronousRectification	IRF International Rectifier	IRF
IRF7463PBF	文件：176.87 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighFrequencyDC-DCIsolatedConverterswithSynchronousRectificationforTelecomandIndustrialuse ●HighFrequencyBuckConvertersforComputerProcessor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7463TRPBF	文件：1.05311 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7464	文件：168.93 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.73ohm, Id=1.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconvert	IRF International Rectifier	IRF
IRF7464PBF	文件：125.09 Kbytes Page：8 Pages	HEXET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconvert	IRF International Rectifier	IRF
IRF7465	文件：106.61 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Id=1.9A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7465PBF	文件：133.57 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters, Lead-Free SMPSMOSFET Benefits ●LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF746
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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