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IRF7456PBF-1

20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF7456TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    20 V

  • RDS (on) @10V max:

    6.5 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    7.5 mΩ

  • ID @25°C max:

    16 A

  • QG typ @4.5V:

    41 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    0.6 V

  • VGS(th) max:

    2 V

  • VGS(th):

    1.3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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