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IRF7401PBF	文件：202.97 Kbytes Page：9 Pages	ULTRA LOW ON RESISTANCE 文件：202.97 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF7401PBF-1	文件：241.74 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：241.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7401PBF-1_15	文件：241.74 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：241.74 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7401PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7401TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
20 V
RDS (on) @4.5V max：
22 mΩ
ID @25°C max：
8.7 A
QG typ @4.5V：
32 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
0.7 V
Technology：
IR MOSFET™

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