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IRF7389中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF7389

功能描述

Dual N P Channel MOSFET

丝印标识

IRF7389

封装外壳

SOP-8

文件大小

443.24 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 16:39:00

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IRF7389规格书详情

特性 Features

N-Ch:

e VbDs (v=30V

® RbsEN) < 29mo (Ves = 10V)

® RbsoN) < 46mo (Ves = 4.5V)

P-Ch:

e VDs (v=-30V

® RpsoN) < 58moe (Ves = -10V)

® RpsoN) < 98mo (Ves = -4.5V)

e Generation V Technology

e Ultra Low On-Resistance

eo Complimentary Half Bridge

e Surface Mount

eo Fully Avalanche Rated

e Lead-Free

描述 Description

The SOP-8 has been modfied through a

customized eadframe for enhanced thermal

characteristics and multiple-die capability making

it ideal in a variety of power applications. With

these improvements. multiple devices can be

used in an application with dramatically reduced

board space. The package is desianed for vapor

phase, inra red, orwave soldering technigues

产品属性

  • 型号:

    IRF7389

  • 功能描述:

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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