IRF7389中文资料友台半导体数据手册PDF规格书
IRF7389规格书详情
特性 Features
N-Ch:
e VbDs (v=30V
® RbsEN) < 29mo (Ves = 10V)
® RbsoN) < 46mo (Ves = 4.5V)
P-Ch:
e VDs (v=-30V
® RpsoN) < 58moe (Ves = -10V)
® RpsoN) < 98mo (Ves = -4.5V)
e Generation V Technology
e Ultra Low On-Resistance
eo Complimentary Half Bridge
e Surface Mount
eo Fully Avalanche Rated
e Lead-Free
描述 Description
The SOP-8 has been modfied through a
customized eadframe for enhanced thermal
characteristics and multiple-die capability making
it ideal in a variety of power applications. With
these improvements. multiple devices can be
used in an application with dramatically reduced
board space. The package is desianed for vapor
phase, inra red, orwave soldering technigues
产品属性
- 型号：
IRF7389
- 功能描述：
MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
HEXFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INTERNATI |
23+ |
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原装正品公司现货,假一赔十! |
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IR |
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IR |
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询价 |
