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IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description These HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repe 文件：231.77 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description These HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repe 文件：218.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7341QTRPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology Description These HEXFET ® Power MOSFET’s in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFET’s are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repe 文件：218.6 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7341TR	文件：117.72 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：117.72 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341TRPBF	文件：1.1291 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：1.1291 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7341IPBF	文件：138.32 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：138.32 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341PBF	文件：163.97 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology 文件：163.97 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341PBF_15	文件：163.97 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology 文件：163.97 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341TRPBF	文件：163.98 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：163.98 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7341IPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7341TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
50 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
65 mΩ
ID @25°C max：
4.7 A
QG typ @10V：
24 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF7341供应商更新时间2026-1-18 14:14:00

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