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IRF7324PBF_15	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：169.87 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324PBF-1	文件：191.35 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：191.35 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324PBF-1_15	文件：191.35 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：191.35 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324TRPBF	文件：169.87 Kbytes Page：8 Pages	Trench Technology 文件：169.87 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7324TRPBF	文件：2.12445 Mbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：2.12445 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7324D1TRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7324PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7324TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-20 V
RDS (on) @4.5V max：
18 mΩ
ID @25°C max：
-9 A
QG typ @4.5V：
42 nC
Polarity：
P+P
VGS(th) min：
-0.45 V
VGS(th) max：
-1 V
VGS(th)：
-0.73 V
Technology：
IR MOSFET™

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