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IRF6785

采用 DirectFET ™ MZ 封装的 200V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET

IR MOSFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对最广泛的可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 认证\n• 高额定电流\n• 双面冷却能力\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 寄生 (1-2 nH) 封装电感\n• 100% 无铅(无 RoHS 豁免);

Infineon

英飞凌

IRF6785MPBF

Latest MOSFET Silicon technology

文件:609.87 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF6785MPBF

Latest MOSFET Silicon technology

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IRF

IRF6785MPBF_15

Latest MOSFET Silicon technology

文件:609.87 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF6785MTRPBF

DIGITAL AUDIO MOSFET

文件:604.27 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IRF6785MTRPBF

Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

文件:2.62043 Mbytes 页数:6 Pages

IRF

IRF6785MPBF

Latest MOSFET Silicon technology

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Ptotmax:

    57 W

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    2.8 W

  • Qgd:

    6.9 nC

  • QG(typ @10V):

    26 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    100 mΩ

  • RthJCmax:

    1.4 K/W

  • Tjmax:

    150 °C

  • VDSmax:

    200 V

  • VGS(th):

    4 V

  • VGSmax:

    20 V

  • Mounting:

    SMD

  • Package:

    DirectFET (M)

  • Operating Temperature:

    -40 °C to 150 °C

  • Micro-stencil:

    IRF66MZ-25

  • Polarity:

    N

  • Moisture Sensitivity Level:

    1

  • Budgetary Price €/1k:

    0.96

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更多IRF6785供应商 更新时间2025-12-13 13:01:00