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PT6602	文件：242.23 Kbytes Page：5 Pages	9AMPADJUSTABLEINTEGRATEDSWITCHINGREGULATOR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT6602F	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602G	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602L	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602M	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602Q	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602R	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RM6602	文件：356.05 Kbytes Page：12 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures N-Channel VDS=30V,ID=3.5A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
S6602	文件：918.17 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiodeBareDie Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ・SwitchModePowerSupply ・EVCharger ・UninterruptiblePowerSupply ・AirConditioner ・SolarInverter ・MotorDrive	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SPC6602	文件：265.71 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER

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详细参数

型号：
IRF6602
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6602供应商更新时间2025-7-24 10:50:00

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