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LTC6602CUF-TRPBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6602IUF-PBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6602IUF-TRPBF	文件：573 Kbytes Page：28 Pages	DualMatched,HighFrequencyBandpass/LowpassFilters	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MAX6602	文件：207.94 Kbytes Page：18 Pages	Five-ChannelPrecisionTemperatureMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6602	文件：608.26 Kbytes Page：18 Pages	Five-ChannelPrecisionTemperatureMonitor	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6602	文件：43.14 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications N-ChannelSiliconMOSFET Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.5Vdrive •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitatinghigh-densitymounting	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6602	文件：66.09 Kbytes Page：5 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6602	文件：488.16 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6602	文件：248.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6602-TL-E	文件：248.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
IRF6602
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF6602供应商更新时间2025-7-16 16:30:00

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