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IRF640STRR	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：2.11507 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF640STRRPBF	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combinations of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the 文件：2.11507 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF640SPBF	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：237.05 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRF640S	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET Surface mount\nLow-profile through-hole\nAvailable in tape and reel;	Vishay 威世科技	Vishay
IRF640S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET	ST 意法半导体	ST
IRF640S/SiHF640S/SiHF640L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
IRF640S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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