| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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6年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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1年
留言
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IRTSSOP-14 |
5000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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4年
留言
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IRTO-263 |
7000 |
23+ |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
400 |
23+ |
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10年
留言
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VISHAYTO-263 |
59397 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
27500 |
25+ |
原装正品,价格最低! |
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8年
留言
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IRSOT263 |
3000 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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7年
留言
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VISHAYTO-263 |
3675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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5年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
400 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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5年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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3年
留言
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IRSOT263 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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4年
留言
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IRSOT263 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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10年
留言
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IR原厂封装 |
3050 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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15年
留言
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SILICONIXVISHAYNA |
800 |
26+ |
原装现货 专业配单专家 |
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IRF630STRLPBF价格
IRF630STRLPBF价格:¥4.8971品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF630STRLPBF多少钱,想知道IRF630STRLPBF价格是多少?参考价:¥4.8971。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF630STRLPBF批发价格及采购报价,IRF630STRLPBF销售排行榜及行情走势,IRF630STRLPBF报价。
IRF630STRLPBF资讯
IRF630STRPBF IRF630S TO-263 MOSFET N 通道 9A 200V
深圳市勤思达科技有限公司主营场效应管MOS管,公司现货库存供应IRF630NSTRPBF,正品原装,品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IRF630STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630STRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630STRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























