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IRF611数据手册GESS中文资料规格书

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厂商型号

IRF611

功能描述

N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 150V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 2.5A.

制造商

GESS GE Solid State

数据手册

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更新时间

2025-8-10 16:38:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF611

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAM
25+
QFP
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
HARRIS
23+
DIP16
5000
原装正品,假一罚十
询价
IR
23+
TO-220
7000
询价
IR
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
HAR
23+
TOP-3P
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
询价
HAR
02+
TOP-3P
45
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
IR
22+
TO-220
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
SMG
23+
TO-220
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
SEC
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
SEC
23+24
TO-220
59630
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
询价