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IRF610B数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

IRF610B

功能描述

200V N-Channel MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 14:30:00

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IRF610B规格书详情

描述 Description

General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

特性 Features

• 3.3A, 200V, RDS(on)= 1.5Ω@VGS= 10 V
• Low gate charge ( typical 7.2 nC)
• Low Crss ( typical 6.8 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

技术参数

  • 型号:

    IRF610B

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-220-3
8866
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