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MBRD6100CT	文件：326.47 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS6.0AMPERES,100VOLTS	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MBRD6100CT	文件：447.11 Kbytes Page：4 Pages	MBRD6100CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD6100CT	文件：54.52 Kbytes Page：4 Pages	6.0ASURFACEMOUNTDUALSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SchottkyBarrierChip GuardRingDieConstructionfor TransientProtection HighSurgeCurrentCapability LowPowerLoss,HighEfficiency IdeallySuitedforAutomaticAssembly ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MD6100	文件：54.45 Kbytes Page：1 Pages	DualTransistors DualTransistors TO-78Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MDR6100	文件：85.92 Kbytes Page：1 Pages	DielectricResonatorOscillator	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
MMBD6100	文件：132.28 Kbytes Page：2 Pages	Surfacemountswitchingdiode FEATURES ●Highconductance. ●Fastswitching. ●Surfacemountpackageideallysuitedfor automaticinsertion. APPLICATIONS ●Forgeneralpurposeandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBD6100	文件：40.34 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●HighConductance ●FastSwitching ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ●ForGeneralPurposeandSwitching ●PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-O	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MMBD6100	文件：290.32 Kbytes Page：2 Pages	MonolithicDualSwitchingDiode Features •LowCurrentLeakage •SOT-23PackageForSurfaceMountApplication •Capableof225WattsofPowerDissipation	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBD6100	文件：49.6 Kbytes Page：2 Pages	MONOLITHICDUALSWITCHINGDIODE MonolithicDualSwitchingDiode	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBD6100	文件：502.69 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES VOLTAGE80VoltsPOWER225mWatts FEATURES •Dual,commoncathodeconfiguration •Veryfastreverserecovery(Trr	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
IRF6100
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市弘为电子有限公司	IRF6100	IR	24+	原厂封装	24000	原装现货假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF6100	IR	2020+	QFN	5990	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多IRF6100供应商更新时间2025-6-4 15:36:00

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