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LT6100CDD	文件：257.86 Kbytes Page：16 Pages	Precision,GainSelectableHighSideCurrentSenseAmplifier	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT6100HDD	文件：257.86 Kbytes Page：16 Pages	Precision,GainSelectableHighSideCurrentSenseAmplifier	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT6100IDD	文件：257.86 Kbytes Page：16 Pages	Precision,GainSelectableHighSideCurrentSenseAmplifier	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LUR6100	文件：461.66 Kbytes Page：7 Pages	GlassPassivatedJunctionUltraFastRectifiersReverseVoltage800to1000VForwardCurrent6.0A	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MAX6100	文件：326.71 Kbytes Page：14 Pages	Low-Cost,Micropower,Low-Dropout,High-Output-Current,SOT23VoltageReferences GeneralDescription TheMAX6100–MAX6107arelow-cost,low-dropout(LDO),micropowervoltagereferences.Thesethree-terminalreferencesareavailablewithoutputvoltageoptionsof1.25V,1.8V,2.048V,2.5V,3V,4.096V,4.5V,and5V.Theyfeatureaproprietarycurvature-correctioncircuitandlas	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6100EUR	文件：92.22 Kbytes Page：8 Pages	PLASTICENCAPSULATEDDEVICES DeviceDescription General TheMAX6100isalow-cost,low-dropout(LDO),micropowervoltagereferences.Thisthree-terminalreferencehasanoutputvoltageoptionof1.8V.Itfeaturesaproprietarycurvature-correctioncircuitandlaser-trimmed,thin-filmresistorsthatresultinalowtemperatu	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX6100EUR-T	文件：326.71 Kbytes Page：14 Pages	Low-Cost,Micropower,Low-Dropout,High-Output-Current,SOT23VoltageReferences GeneralDescription TheMAX6100–MAX6107arelow-cost,low-dropout(LDO),micropowervoltagereferences.Thesethree-terminalreferencesareavailablewithoutputvoltageoptionsof1.25V,1.8V,2.048V,2.5V,3V,4.096V,4.5V,and5V.Theyfeatureaproprietarycurvature-correctioncircuitandlas	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MBR6100	文件：85.79 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwardvoltage,highcurrentcapability •Highsurgecapacity. •Foruseinlowvoltage,highfrequenc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR6100	文件：176.16 Kbytes Page：2 Pages	6.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR6100CS	文件：915.84 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●Lowpowerloss,highefficiency. ●Lowforwrdvoltage,highcurrentcapability ●Highsurgecapacity. ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
IRF6100
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF6100	IR	23+	BGA-4	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRF6100	IR	23+	BGA-4	12000	全新原装优势	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRF6100	IR	24+	原厂封装	24000	原装现货假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF6100	IR	2020+	QFN	5990	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRF6100	IR	24+	BGA-4	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF6100	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	IRF6100	IR	25+23+	BGA-4	28276	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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更多IRF6100供应商更新时间2025-5-28 15:36:00

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