IRF610中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF610
功能描述	N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
文件大小	148.52 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Fairchild Semiconductor
企业简称	FAIRCHILD【仙童半导体】
中文名称	飞兆/仙童半导体公司官网
原厂标识	FAIRCHILD
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 20:00:00
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IRF610规格书详情

描述 Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high speed applications, such as switching power supplies, converters, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and other pulse circuits.

● LOW RDS(on)

● VQS Rated at ± 20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● IDSS, VDS(on), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

产品属性

型号：
IRF610
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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