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IRF60R217	文件：476.58 Kbytes Page：11 Pages	Battery powered circuits 文件：476.58 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF60R217	文件：336.09 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF60R217	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak (TO-252) 封装 \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level)\n• Silicon optimized for applications switching below <100KHz\n• Softer body-diode compared to previous silicon g;	Infineon 英飞凌	Infineon
IIRF60R217	文件：336.09 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

OPN：
IRF60R217
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
9.9 mΩ
ID @25°C max：
58 A
QG typ @10V：
40 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.7 V
VGS(th)：
2.9 V
Technology：
StrongIRFET™

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