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IRF5850规格书详情
描述 Description
These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.
● Ultra Low On-Resistance
● Dual P-Channel MOSFET
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Low Gate Charge
产品属性
- 型号：
IRF5850
- 功能描述：
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
SOT23-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
IR |
24+ |
SOT23-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
6-TSOP |
3000 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
SOT23-6 |
999999 |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
21+ |
42664 |
12588 |
原装正品假一罚十 |
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IR |
2447 |
SOT23-6 |
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IR |
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SOT23-6 |
12500 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
SOP |
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询价 |
