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IRF5850	文件：126.67 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.135ohm) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. ● U 文件：126.67 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5850	文件：134.47 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：134.47 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5850	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.135ohm)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF5850PBF	文件：168.9 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：168.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5850TR	文件：134.47 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：134.47 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5850TRPBF	文件：168.9 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：168.9 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

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